IRHYS9A7034CMSCS

数据手册

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IRHYS9A7034CMSCS
IRHYS9A7034CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    28 A
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS9A7034CMSCS N 沟道 MOSFET 是采用 TO-257AA 低欧姆封装的 60V、30A 抗辐射器件。符合 QIRL 太空标准，可承受高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为电机控制器和 DC-DC 转换器等高速开关应用的理想选择。它还具有电压控制和温度稳定性，同时具有对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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