不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRL3705NS

采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 55 V
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRL3705NS
IRL3705NS
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    89 A
  • Ptot max
    170 W
  • Qgd
    32.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    65.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS max
    16 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.69
OPN
IRL3705NSTRLPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够承受 4.5 V 栅极驱动电压
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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