IRL8113S

采用 D2Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRL8113S
IRL8113S
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    105 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    74 A
  • 最高 ID
    74 A
  • 最高 IDpuls
    420 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    8.3 nC
  • QG
    23 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    7.1 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    6 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.32 K/W
  • Rth
    1.32 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.25 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 超低栅极阻抗
  • 逻辑级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }