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IRLB3034

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40V 逻辑电平单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET,采用 TO-220 封装

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商品详情

  • ID (@25°C) max
    343 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    54 nC
  • QG (typ @4.5V)
    108 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.69
OPN
IRLB3034PBF IRLB3034PBFXKMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 TO220
包装尺寸 1000 1000
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 高额定电流
  • 产品合格。符合 JEDEC 标准
  • 针对 <100 kHz 开关进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比,体二极管更软
  • 行业标准通孔功率封装
提供广泛的产品组合

产品优势

  • 高电流承载能力封装
  • 行业标准资质等级
  • 高性能、低频率
  • 提高功率密度
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 灵活地选择最佳器件

应用

文档

设计资源

开发者社区

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