IRLL024N
在产
符合RoHS标准

IRLL024N

采用 SOT-223 封装的 55V 单 N 通道 IR MOSFET

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IRLL024N
IRLL024N
  • 最高 ID (@25°C)
    4.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.1 W
  • Qgd
    5.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    100 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    65 mΩ
  • 最高 RthJA
    120 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Logic Level, Small Power
  • 预算价格€/1k
    0.19
OPN
IRLL024NTRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SOT-223
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品,都是行业标准封装,便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装封装

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 采用标准引脚排列的直接替换

应用

文档

设计资源

开发者社区

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