IRLMS6702PBF-1

采用 TSOP-6(Micro 6)封装的 -20V 单 P 通道 IR MOSFET

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IRLMS6702PBF-1
IRLMS6702PBF-1

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -2.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.7 W
  • Qgd
    2.1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    5.8 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    200 mΩ
  • RthJA max
    75 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -20 V
  • VGS(th) min
    -0.7 V
  • VGS max
    12 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    TSOP-6
  • Polarity
    P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Special Features
    Small Power
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品,都是行业标准封装,便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装封装

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

设计资源

开发者社区

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