IRLR3705Z
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRLR3705Z

采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRLR3705Z
IRLR3705Z
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    89 A
  • 最高 Ptot
    130 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG (typ @4.5V)
    44 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    12 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.14 K/W
  • Special Features
    Logic Level
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.44

OPN
IRLR3705ZTRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MX
晶圆产地
GB,TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MX
晶圆产地
GB,TW

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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