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IRLU3410
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符合RoHS标准

IRLU3410

停产
采用 I-Pak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET
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封装
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IRLU3410
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • 最高 Ptot
    52 W
  • Qgd
    13.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    105 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    155 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK (TO-251)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

OPN
IRLU3410PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
CN
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
CN
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IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对宽分布接入进行了优化
  • 符合 JEDEC 标准的产品认证
  • 针对 <100kHz 开关进行了优化的硅片
  • 标准通孔功率封装

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 采用标准引脚排列的直接替换
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