IRS2807DS
在产
符合RoHS标准
无铅

IRS2807DS

600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC
数据手册
封装

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IRS2807DS
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数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    7.7 V
  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • 开通传播延迟
    515 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 最低 输入Vcc
    10 V
  • 输出电流 (Source)
    0.2 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.35 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IRS2807DSTRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
TW
600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，采用 SOIC-8 封装，典型值为 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流。

特性

  • 用于自举操作的浮动通道。
  • 完全可操作至 +600 V
  • 集成自举二极管
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 独立欠压锁定
  • 3.3，5、& 15 V 输入逻辑兼容。
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 较低 di/dt 栅极驱动器
  • 输出与输入同相
  • 适用于梯形和正弦

产品优势

  • Integrated bootstrap diode means smaller PCB area and lower BOM
  • Independent output channels give flexible high- and low-side control
  • Simplifies high-side supply design

图表

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