现货，推荐
符合RoHS标准

ISC010N06NM5

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V、1.05 mΩ、330 A，采用 SSO8 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISC010N06NM5
ISC010N06NM5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    330 A
  • ID (@25°C) max
    330 A
  • IDpuls max
    1320 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • QG
    115 nC
  • RDS (on) max
    1.05 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.05 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
  • 蓄电池电压
    24-36 V
  • 预算价格€/1k
    1.59
推荐的
OPN
ISC010N06NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5) 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 在 25˚C 和 175˚C 时具有低导通电阻 RDS(on) 和高连续电流（高达 330 A），除了提高稳健性之外，还能实现更高的功率密度，满足降低系统成本和提高性能的需求。

特性

  • 25˚C 时最低 RDS(on)
  • 低 RthJC
  • 低反向恢复电荷
  • 额定工作温度高达 175°C

产品优势

  • 减少损耗，提高效率
  • 减少并联，降低系统成本
  • 减少过冲
  • 优异的热性能

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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