ISC012N04NM7V
现货,推荐
符合RoHS标准

ISC012N04NM7V

OptiMOS™ 7 40 V 电机驱动优化功率 MOSFET,采用 SuperSO8 (5x6) 封装。极致的电机驱动解决方案

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ISC012N04NM7V
ISC012N04NM7V


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    219 A
  • 最高 ID
    219 A
  • 最高 IDpuls
    876 A
  • QG
    45 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.25 mΩ
  • Special Features
    Motor-drives optimized
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.35 V 至 3.15 V
  • VGS(th)
    2.75 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

OPN
ISC012N04NM7VATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
与OptiMOS™ 6 相比, OptiMOS™ 7 40 V 电机驱动优化提供高达 3 倍宽范围的安全工作区,从而提供最高的可靠性。增加栅极阈值电压到3.2V,增强的误开通可靠性。跨导降低 70% ,通过改善电流共享、减少电压过冲以及固有的短路电流限制特性,提升性能,同时应对恶劣的操作条件,从而实现易用性。

特性

  • 性价比优化
  • 高达 3 倍宽的 SOA范围
  • 短路电流限制
  • 更高阈值电压 Vth 高达 3.2 V
  • 受控跨导 gfs

产品优势

  • 高效益解决方案
  • 提高效率
  • 在恶劣条件下提高稳定性
  • 改善脉冲电流处理能力
  • 免疫短路特性
  • 免疫寄生导通特性
  • 固有短路电流限制
  • 改善的斜率控制
  • 更好的 EMI 特性和易用性
文档

设计资源

开发者社区