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现货，推荐
符合RoHS标准

ISC015N06NM5

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OptiMOS™ 5 60 V 开关优化功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 漏极封装
数据手册
封装

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ISC015N06NM5
ISC015N06NM5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    259 A
  • 最高 IDpuls
    1036 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.5 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISC015N06NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 5 开关优化型功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 漏极向下封装，耐压 60 V，具有低导通电阻/低开关损耗及优异的散热性能，可满足 AI、数据中心以及电信应用领域的电源转换需求。漏极向下 DSC 5x6 封装实现了高密度电流和紧凑的电源架构，满足高密度数据中心服务器中 GPU/加速器供电轨的效率、瞬态和可靠性指标要求。

特性

  • 低RDS(on)，优化的开关损耗
  • 低噪声，实现快速开关
  • 低电压过冲
  • 针对先进AI拓扑进行优化
  • 低Qg/Qoss，实现高频工作
  • PQFN 5x6，双面散热封装

产品优势

  • 易于使用
  • 一流的系统效率
  • 低通态和开关损耗
  • 更高的转换效率，更少的散热
  • 可靠性的标杆
  • 更高的功率密度

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }