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现货，推荐
符合RoHS标准

ISC019N10NM8SC

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OptiMOS™ 8 功率 MOSFET 100 V 标准电平驱动，采用 SuperSO8 DSC 封装
数据手册
封装
评估板

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ISC019N10NM8SC
ISC019N10NM8SC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    245 A
  • 最高 IDpuls
    980 A
  • 最高 Ptot
    268 W
  • QG (typ @10V)
    106 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.95 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.4 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
推荐的
OPN
ISC019N10NM8SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SuperSO8 DSC 封装的 OptiMOS™ 8 功率 MOSFET具有双面散热封装的所有热管理优势，同时符合行业标准封装。

特性

  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 高额定漏极电流ID
  • 阈值电压VGS(th)分布范围窄
  • 体二极管恢复特性柔和，反向恢复电荷Qrr>低
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅引脚镀层；符合 RoHS 指令
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求
  • 符合 J-STD-020 标准，湿敏等级 MSL 1
  • N 沟道，标准电平驱动

产品优势

  • 系统效率高
  • 卓越的功率处理能力
  • 高功率密度设计
  • 可靠性更高
  • 更长的使用寿命

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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