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现货，推荐
符合RoHS标准

ISC033N10NM8

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OptiMOS™ 8 功率 MOSFET 100 V 标准电平驱动，SuperSO8 封装
数据手册
封装
评估板

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ISC033N10NM8
ISC033N10NM8
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    150 A
  • 最高 IDpuls
    600 A
  • 最高 Ptot
    179 W
  • QG (typ @10V)
    59 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.43 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.4 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
推荐的
OPN
ISC033N10NM8ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 高额定漏极电流ID
  • 阈值电压VGS(th)分布范围窄
  • 体二极管恢复特性柔和，反向恢复电荷Qrr>低
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅引脚镀层；符合 RoHS 指令
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求
  • 符合 J-STD-020 标准，湿敏等级 MSL 1
  • N 沟道，标准电平驱动

产品优势

  • 极具性价比的技术方案
  • 最低的导通损耗
  • 更优的均流性能
  • 优异的开关性能，体二极管恢复特性柔和
  • 使用简便、易于应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }