现货，推荐
符合RoHS标准

ISG0613N04NM6H

OptiMOS ™ 5 个双 N 沟道 60 V MOSFET，位于可扩展电源模块中
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISG0613N04NM6H
ISG0613N04NM6H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    299 A
  • QG (typ @10V)
    69 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.88 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • Package
    Power Block 6.3x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Symmetrical Half-bridge
  • Budgetary Price €/1k
    1.59
受到推崇的
OPN
ISG0613N04NM6HATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VITFN-10
封装名 PQFN 6.3x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VITFN-10
封装名 PQFN 6.3x6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
PQFN 6.3x6.0 中的双 N 沟道 MOSFET 具有非常低的 RDS(on)，每个为 0.88 mΩ，Q1/Q2 采用半桥配置。这可以替代两个分立的 Q1/Q2 MOSFET，例如：PQFN 5x6，并将电路板上的功率部分缩小至少 50%。 封装的低寄生电感提高了开关性能和 EMI，同时降低了整体 BOM 成本。优化的引线框架和铜夹显著提高了封装的热性能。

特性

  • 尖端 OptiMOS ™硅技术
  • 出色的 FOM
  • 高芯片/封装比
  • 优化的引线框架和铜夹设计
  • 内部连接的 Q1/Q2 MOSFET
  • 紧凑而简化的布局设计

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 高功率能力
  • 卓越的热性能
  • 最低环路电感
  • 卓越的开关性能/EMI

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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