现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISP20EP10LM

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V，采用 SOT-223 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISP20EP10LM
ISP20EP10LM
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -0.99 A
  • ID max
    -0.99 A
  • IDpuls max
    -4 A
  • Ptot max
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -3.5 nC
  • QG
    -3.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    -1.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2000 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2200 mΩ
  • VDS max
    -100 V
  • VGS(th)
    -1.5 V, -1 V to -2 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.1
推荐的
OPN
ISP20EP10LMXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • 高和低开关频率
  • 雪崩强度
  • 标准尺寸表面贴装封装
  • 广泛的分销合作伙伴

产品优势

  • 支持各种应用
  • 性能强大、可靠
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 提高供电安全性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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