请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

ISP25DP06NM

停产
常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISP25DP06NM
ISP25DP06NM
视图替换
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -1.9 A
  • IDpuls max
    -7.6 A
  • Ptot max
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -10.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    250 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • Package
    SOT-223
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    P
  • Special Features
    Small Power
  • Budgetary Price €/1k
    0.13
OPN
ISP25DP06NMXTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低负载下效率更高
  • 快速切换
  • 抗雪崩能力强

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }