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ISP26DP06NMS

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常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
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ISP26DP06NMS
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -1.9 A
  • IDpuls max
    -7.6 A
  • Ptot max
    5 W
  • QG (typ @10V)
    -10.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    260 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT223-3
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Small Power
  • 预算价格€/1k
    0.12
OPN
ISP26DP06NMSATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SOT-223 封装的 OptiMOS ™ P 沟道小信号 MOSFET 60V 是针对消费应用的新技术。P沟道小信号器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。可实现快速切换、雪崩耐受性和与微控制器单元 (MCU) 的简便接口，同时还具有非常低的导通电阻 RDS(on)。它在逻辑层面上可用。

特性

  • VDS= -60V
  • 极低导通电阻 RDS(on)
  • 100% 雪压测试
  • 逻辑电平
  • 符合 JEDEC 标准
0

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 快速切换
  • 抗雪崩能力

文档

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设计资源

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