现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ053N08NM6

OptiMOS ™ 6 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 3.3 x 3.3
数据手册
封装

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ISZ053N08NM6
ISZ053N08NM6
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    90 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.3 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISZ053N08NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能。 与最新的 OptiMOS ™ 5 技术相比，英飞凌领先的薄晶圆技术可显著提高性能，包括将 R DS(on) 降低 28% 以上，并将 PQFN 3.3x3.3 中的 FOM 提高约 40%。性能的提升使得热设计更加容易、并联更少，从而提高系统效率、提高功率密度并降低系统成本。 英飞凌的 OptiMOS ™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高开关频率应用，并且由于性能改进，OptiMOS ™ 6 80 V 还可用于电池供电应用以及电池管理系统 (BMS)。

特性

  • 基准性能
  • RDS(on) 选项，实现最佳成本/性能
  • 行业标准封装
  • 正常水平栅极驱动
  • 额定温度 175°C
  • 工业级认证

产品优势

  • 传导损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 开关损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 广泛的产品组合，打造灵活的供应链
  • 抗误开启
  • 改进的功率、SOA 和雪崩电流
  • 稳定可靠的性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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