ISZ113N10NM5LF2
现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ113N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 通道线性场效应晶体管 (FET) 100 V、11.3 mΩ、63 A，PQFN 封装，3.3x3.3包裹
数据手册
封装

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ISZ113N10NM5LF2
ISZ113N10NM5LF2
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    63 A
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11.3 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Wide SOA
  • 预算价格€/1k
    0.77
推荐的
OPN
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
ISZ113N10NM5LF2 是英飞凌最新推出的 100 V OptiMOS ™ 5 线性场效应晶体管 (FET)，采用 PQFN 3.3x3.3毫米封装，提供业界最低的导通电阻 RDS(on) 和 25˚C 和 125˚C 下的宽安全工作区 (SOA)。 OptiMOS ™线性 FET 是一种革命性的方法，解决了导通电阻和线性模式能力之间的权衡。结合低成本、薄型 PQFN 3.3x3.3封装，ISZ113N10NM5LF2 适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动和限流目的。

特性

  • 宽安全工作区 (SOA)
  • 低 RDS(on) 
  • 高最大值。脉冲电流
  • 最高。连续电流
  • 采用小型扁平封装

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低传导损耗
  • 支持高浪涌电流
  • 快速启动和更短的停机时间
  • 行业标准尺寸

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区