现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ15EP15LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISZ15EP15LM
ISZ15EP15LM
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -2.7 A
  • IDpuls max
    -10.8 A
  • Ptot max
    26.3 W
  • QG (typ @4.5V)
    -5.5 nC
  • QG (typ @10V)
    -11 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1500 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1600 mΩ
  • VDS max
    -150 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3 FL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    P
受到推崇的
OPN
ISZ15EP15LMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3，针对电池管理、负载开关和反极性保护应用，降低中低功率应用的设计复杂性。它们提供与 MCU 的简便接口、快速切换以及雪崩强度，适用于高质量要求的应用。它具有逻辑电平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • 提供 6 种不同封装
  • 宽 RDS(on) 范围
  • 提供正常电平和逻辑电平
  • 针对各种应用进行了优化
  • 可从分销合作伙伴处获取

产品优势

  • 行业标准封装
  • 适用于高和低开关频率
  • 雪崩耐受性
  • 轻松连接到 MCU
  • 低负载下高效，低 Qf
  • 降低设计复杂性
  • 能源效率

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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