现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ330N12LM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 逻辑电平 120 V，采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装
数据手册
封装

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ISZ330N12LM6
ISZ330N12LM6
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    24 A
  • IDpuls max
    96 A
  • Ptot max
    43 W
  • QG (typ @4.5V)
    3.6 nC
  • QG (typ @10V)
    6.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    33 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    44.6 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 蓄电池电压
    48-72 V
  • 预算价格€/1k
    0.36
推荐的
OPN
ISZ330N12LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这是采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装的逻辑电平 120 V MOSFET，导通电阻为 33 mOhm。ISZ330N12LM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • 特性：RDS(on) 提升 58%
  • FOMg 提升高达 66%
  • Qrr 提升高达 90%
  • FOMoss 提升高达 35%

产品优势

  • 极低的导通电阻
  • 极低的反向恢复电荷
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175°C 结温额定值
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • MSL1 级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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