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JANSF2N7262

数据手册
封装

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JANSF2N7262
JANSF2N7262
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    3.5 A
  • ID (@25°C) max
    5.5 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7262
  • RDS (on) (@25°C) max
    350 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R4 N 沟道 MOSFET JANSF2N7262 是单个抗辐射器件，额定电压为 200V，电流为 5.5A。采用TO-205AF密封封装，电气性能高达300krad(Si) TID，符合QPL标准。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术可在空间应用中实现高性能和高可靠性。由于具有低 RDS(on) 和栅极电荷，它可以减少开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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