JANSF2N7268
现货，推荐

JANSF2N7268

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7268
JANSF2N7268
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    34 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7268
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    65 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7268 N 沟道 MOSFET 是单个 100V 抗辐射器件，额定电流为 34A。其电气性能高达 300krad(Si) TID，采用 TO-254AA 封装。这些符合 QPL 标准的 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有高性能、低 RDS(on) 和低栅极电荷。它们非常适合空间应用，可提供电压控制、快速切换和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区