JANSF2N7268
现货，推荐

JANSF2N7268

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7268
JANSF2N7268
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    34 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7268
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    65 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSF2N7268 N 沟道 MOSFET 是单个 100V 抗辐射器件，额定电流为 34A。其电气性能高达 300krad(Si) TID，采用 TO-254AA 封装。这些符合 QPL 标准的 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有高性能、低 RDS(on) 和低栅极电荷。它们非常适合空间应用，可提供电压控制、快速切换和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区