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JANSF2N7268

数据手册
封装

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JANSF2N7268
JANSF2N7268
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    21 A
  • ID (@25°C) max
    34 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7268
  • RDS (on) (@25°C) max
    65 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7268 N 沟道 MOSFET 是单个 100V 抗辐射器件，额定电流为 34A。其电气性能高达 300krad(Si) TID，采用 TO-254AA 封装。这些符合 QPL 标准的 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有高性能、低 RDS(on) 和低栅极电荷。它们非常适合空间应用，可提供电压控制、快速切换和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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