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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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JANSF2N7380
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
ID (@100°C) max9.1 A
-
ID (@25°C) max14.4 A
-
QG40 nC
-
QPL部件号2N7380
-
RDS (on) (@25°C) max180 mΩ
-
TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
VF max1.8 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-257AA
-
极性N
-
生成R4
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
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| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | TO-257AA STANDARD | |
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| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO-257AA STANDARD |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
N 沟道 MOSFET JANSF2N7380 是单个抗辐射器件，最大电压为 100V，电流为 14.4A。它专为空间应用而设计，电气性能高达 300krad(Si) TID，并符合 QPL 要求。MOSFET 中使用的 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术提供了高性能和可靠性，使其非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制。