JANSF2N7394U
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JANSF2N7394U

数据手册
封装

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JANSF2N7394U
JANSF2N7394U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    30 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7394U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    27 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7394U 是采用 SMD-1 封装的抗辐射 R4 N 沟道 MOSFET。该器件符合 QPL 标准，额定电压为 60V/35A，电气性能高达 300krad (Si) TID。它采用 HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，为电源开关应用提供高性能、低 RDS(on) 和低栅极电荷。该 MOSFET 专为空间应用而设计，具有成熟的性能和快速开关能力。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区