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JANSF2N7484T3

数据手册
封装

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JANSF2N7484T3
JANSF2N7484T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 N 沟道 MOSFET JANSF2N7484T3 专为空间应用而设计。这款单抗辐射 N 沟道 MOSFET 具有 100V、18A 容量，采用 IR HiRel R5 技术，以其低 RDS(on) 和栅极电荷而闻名。它符合 QPL 标准，电气性能高达 300krad TID。它采用 TO-257AA 封装，保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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