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JANSF2N7493T2

数据手册
封装

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JANSF2N7493T2
JANSF2N7493T2
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    7.4 A
  • ID (@25°C) max
    11.7 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7493T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    80 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7493T2 R5 MOSFET 采用 TO-205AF 封装，提供单个 100V、11.7A N 沟道器件，非常适合空间应用。这些 MOSFET 的电气性能高达 300krad (Si) TID 和 QPL 分类，能够承受恶劣条件。低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优势。

应用

文档

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设计资源

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