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JANSF2N7647T3

数据手册
封装

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JANSF2N7647T3
JANSF2N7647T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    28 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7647T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R9 N 沟道 MOSFET JANSF2N7647T3 是一款抗辐射设备，额定电压为 60V，额定电流为 30A，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低恶劣环境下高速开关应用中的功率损耗并提高功率密度。这些 MOSFET 保留了所有公认的优势，并提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。

应用

文档

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