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JANSF2N7648T3

数据手册
封装

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JANSF2N7648T3
JANSF2N7648T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7648T3 R9 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射设备，额定电压为 100V，电流为 30A，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低高速开关应用中的功率损耗。电气性能高达300krad（Si）TID分类。MOSFET的电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定的优点得以保留。

应用

文档

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