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JANSF2N7648U3C

数据手册
封装

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JANSF2N7648U3C
JANSF2N7648U3C
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7648U3C R9 N 沟道 MOSFET 专为空间应用而设计。该超结器件能够处理高达 100V 和 22A 的电压和电流，采用带陶瓷盖的 SMD-0.5 封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为高速开关应用的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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