JANSG2N7270
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JANSG2N7270

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JANSG2N7270
JANSG2N7270
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7270
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    450 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSG2N7270 N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射 R4 器件，额定电压为 500V，电流为 11A，采用 TO-254AA 封装。它符合 QPL 标准，电气性能可达 500krad(Si) TID。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，因此非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制应用。总体而言，该抗辐射设备具有快速切换、电压控制、温度稳定性和易于并联等特点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区