现货，推荐

JANSG2N7270

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSG2N7270
JANSG2N7270
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    7 A
  • ID (@25°C) max
    11 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7270
  • RDS (on) (@25°C) max
    450 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.6 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSG2N7270 N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射 R4 器件，额定电压为 500V，电流为 11A，采用 TO-254AA 封装。它符合 QPL 标准，电气性能可达 500krad(Si) TID。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，因此非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制应用。总体而言，该抗辐射设备具有快速切换、电压控制、温度稳定性和易于并联等特点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }