JANSG2N7484T3

数据手册

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JANSG2N7484T3
JANSG2N7484T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
N 沟道 MOSFET JANSG2N7484T3 是单个抗辐射元件，额定电压为 100V，容量为 18A。其 TO-257AA 封装具有高达 500krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，使其成为空间应用的理想选择。R5 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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