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JANSG2N7697UFHC

抗辐射、100 V、52 A、PowIR-SMD 封装的 GaN 晶体管 - PowIR-SMD、500 krad TID、JANS
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JANSG2N7697UFHC
JANSG2N7697UFHC
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商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@25°C) max
    52 A
  • QG
    13 nC
  • QPL部件号
    2N7697
  • RDS (on) (@25°C) max
    6 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF
    3.9 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    500
  • 封装
    PowIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    Gen 1
  • 认证标准
    JANS
OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 C-CCN-4
封装名 PowIR-SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称 C-CCN-4
封装名 PowIR-SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭其低电平RDS(on) )、低栅极电荷和零反向恢复电荷， IR HiRel 通过 DLA 认证的抗辐射 GaN 器件 JANSG2N7697UFHC 可最大限度地降低 DC - DC 转换器和电机控制中的功率损耗。它通过了 TID 和 SEE 测试，支持高频电源管理，从而实现了高功率密度并减少了有效载荷质量。

特性

  • 单粒子效应加固等级：LET ≤ 70 MeV・cm²/mg
  • 超低 RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 零反向恢复电荷
  • 密封陶瓷封装
  • 表贴封装
  • 重量轻
    • 静电防护等级： 1C

文档

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