JANSR2N7269U
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JANSR2N7269U

数据手册
封装

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JANSR2N7269U
JANSR2N7269U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7269U 是一款专为空间应用而设计的单抗辐射 200V、26A N 沟道 MOSFET。该设备的额定 TID 高达 100krad(Si)，采用 SMD-1 封装。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。QPL 资格和严格的特性确保了卫星应用的可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区