JANSR2N7394U
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JANSR2N7394U

数据手册
封装

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JANSR2N7394U
JANSR2N7394U
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    30 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    200 nC
  • QPL部件号
    2N7394U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    27 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7394U 是单个抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，额定电流为 35A。其 SMD-1 封装提供高达 100krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能。该设备非常适合空间应用，采用 IR HiRel 抗辐射 R4 HEXFET 技术来提供经过验证的性能和可靠性。凭借较低的 RDS(on) 和栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区