现货，推荐

JANSR2N7473U2A

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7473U2A
JANSR2N7473U2A
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    34 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL Part Number
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7473U2A 是采用 SuperIR-SMD 封装的单 R5 N 沟道 MOSFET。它专为空间应用而设计，符合 QPL 标准，额定电压为 200V，额定电流为 53A。其电气性能高达100krad(Si) TID。MOSFET 具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }