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JANSR2N7476T1

数据手册
封装

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JANSR2N7476T1
JANSR2N7476T1
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7476T1 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射设备，额定电压为 200V，电流处理能力为 45A。它是采用 TO-254AA 低欧姆封装的单个 R5 MOSFET。其电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其适合于开关应用，同时保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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