JANSR2N7482T3
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JANSR2N7482T3

数据手册
封装

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JANSR2N7482T3
JANSR2N7482T3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    18 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • QG
    65 nC
  • QPL部件号
    2N7482T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    30 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7482T3 的额定电压为 30V，额定电流为 18A，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术可确保空间应用的高性能和可靠性。低 RDS(on) 和低栅极电荷可在 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中降低功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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