JANSR2N7486U3
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JANSR2N7486U3

数据手册
封装

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JANSR2N7486U3
JANSR2N7486U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL部件号
    2N7486U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    220 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSR2N7486U3 单抗 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，额定电压为 200V，额定电流为 12A。它的电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QPL 资格，可靠地适用于太空应用。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷，此 R5 MOSFET 可最大限度地减少开关应用中的功率损耗。它提供快速切换、电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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