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JANSR2N7491T2

数据手册
封装

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JANSR2N7491T2
JANSR2N7491T2
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    65 nC
  • QPL Part Number
    2N7491T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7491T2 是一款高性能抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 30V，电流为 12A。IR HiRel R5 技术可确保卫星应用的卓越性能和可靠性。凭借 QPL 分类和高达 100krad(Si) TID 电气性能，它非常适合空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷的结合可降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

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设计资源

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