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JANSR2N7548T3

从 -30 V 到 -200 V，符合 DLA 太空应用标准
数据手册
封装

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JANSR2N7548T3
JANSR2N7548T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C per MIL-STD-750, \\n Method 1020
  • ID (@25°C) max
    -8 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    515 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7548T3 是一款抗辐射、-200V、-8A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-257AA 封装。这款符合 QPL 标准的 R5 器件具有高达 100krad(Si) TID 的电气性能，并且具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于卫星总线和有效载荷电源系统中的 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 快速开关
  • 低 RDS(on)
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 密封
  • 电气隔离
  • 陶瓷孔眼
  • 重量轻
  • ESD 等级：1C 级（符合 MIL-STD-750，方法 1020）

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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