JANSR2N7579U2A
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JANSR2N7579U2A

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封装

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JANSR2N7579U2A
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7579U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
该 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，电气性能高达 100krad(Si) TID。JANSR2N7579U2A 具有 100V 额定电压、56A 额定电流、低 RDS(on) 和低栅极电荷。其 IR HiRel R6 技术为采用 SupIR-SMD 封装的单 R6 N 通道设备中的空间应用提供了高性能。JANSR2N7579U2A 符合 QPL 标准，是太空中 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区