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JANSR2N7582T1

数据手册
封装

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JANSR2N7582T1
JANSR2N7582T1
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    44 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    230 C
  • QPL Part Number
    2N7582T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHMS67164-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f3b158111f
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7582T1 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，具有 150V、45A 容量，采用 TO-254AA 低欧姆封装。这些 R6 MOSFET 具有高达 100krad (Si) TID 和 QPL 分类的电气性能，专为空间应用而设计。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗，使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。快速切换、电压控制和温度稳定性可提供可靠的性能。

应用

文档

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设计资源

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