JANSR2N7584D4
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JANSR2N7584D4

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封装

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JANSR2N7584D4
JANSR2N7584D4
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    35 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7584D4
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    29 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7584D4 是一款抗辐射、200V、35A、N 沟道 MOSFET，采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装。它具有低 RDS(on)、低栅极电荷，并且具有总剂量和单粒子效应的特征，有用性能高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET。该 R6 MOSFET 非常适合空间 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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