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JANSR2N7591U3

数据手册
封装

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JANSR2N7591U3
JANSR2N7591U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7591U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
该 N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射器件，具有 200V 和 16A 电气性能，最高可达 100krad(Si) TID。JANSR2N7591U3 具有对高达 90MeV·cm2/mg 的 SEE 和 LET 的增强免疫力。IR HiRel R6 技术为空间应用提供高性能功率 MOSFET，具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，可提高功率密度。QPL 分类确保了空间级可靠性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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