JANSR2N7598U3
现货，推荐

JANSR2N7598U3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7598U3
JANSR2N7598U3
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2900 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7598U3 专为高达 600V 和 3.4A 的高速开关应用而设计。该 MOSFET 具有更高的抗 SEE 能力和高达 100krad (Si) TID 的电气性能，非常适合空间应用。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区