JANSR2N7598U3CE
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JANSR2N7598U3CE

抗辐射、60 V、40 A、N 沟道 MOSFET、R9，采用 SMD-0.5e（陶瓷盖）封装 – SMD-0.5e、100 krad(Si) TID、DLA
数据手册
封装

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JANSR2N7598U3CE
JANSR2N7598U3CE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3.1 Ω
  • SEE
    3 MeV∙cm2/mg
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7598U3CE N通道MOSFET具有抗辐射能力，额定电压为600V，额定电流为3.4A，采用单个SMD-0.5e陶瓷盖封装。 它通过了 QPL 认证，电气性能高达 100 krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用中拥有久经考验的飞行经验。该器件的低 RDS(on) 和低电感，是开关应用的理想选择。

特性

  • 气密密封
  • 低电平RDS(on) )
  • 单事件效应硬化
  • 低电平总感应电荷
  • 驱动要求简单
  • 增强型陶瓷封装
  • 轻重量
  • 静电防护等级：2级（MIL-STD-750，第1020章
文档

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