JANSR2N7616UBC
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JANSR2N7616UBC

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封装

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JANSR2N7616UBC
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    0.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UBC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    680 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UBC
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSR2N7616UBC 是一种抗辐射功率器件，设计用于太空和其他辐射环境。其额定电压为 60V，额定电流为 0.8A，具有 QPL 认证、单粒子门破裂和烧毁免疫力。即使在辐射之后，其阈值电压仍保持恒定。该 R7 器件可用于增加 PWM 或运算放大器的输出电流。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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