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JANSR2N7625T3

数据手册
封装

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JANSR2N7625T3
JANSR2N7625T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    -17 A
  • ID (@25°C) max
    -20 A
  • QG
    36 nC
  • QPL Part Number
    2N7625T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    72 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    P
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7625T3 P 通道 MOSFET 具有抗辐射能力，电压为 -60V，电流为 -45A，采用单个 TO-257AA 低欧姆封装。其电气性能高达100krad(Si) TID和QPL分类。IR HiRel R7 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

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设计资源

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